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  由閃爍體和光探測器組成閃爍探測器，用于探測α、β、γ、X射線及中子。可廣泛應用于高能物理、核物理、地球物理學、生物物理學、生物化學、放射化學、核醫學、地質勘探、空間探測、安全稽查等領域。


       摻鈰硅酸镥（LSO）、摻鈰硅酸釔镥（LYSO）閃爍晶體是性能最好的無機閃爍晶體，它具有發光效率高、衰減時間短、發光中心波長與光電倍增管匹配、抗輻射能力強、高密度、高原子序數、不潮解、物化性能穩定等優點。摻鈰硅酸镥（LSO）、摻鈰硅酸釔镥（LYSO）閃爍晶體采用提拉法生長。目前我所在摻鈰硅酸镥（LSO）、摻鈰硅酸釔镥（LYSO）閃爍原料配方方面，通過調整晶體中Ce4+的摻雜濃度，在配料時對高溫下易揮發組分進行補償；溫場設計及制作、平界面生長、揮發組分抑制技術方面，能夠使得使生長出的晶體即不開裂又無白絲、云層等宏觀缺陷、且晶體的發光強度高，并且通過高溫氧退火減少晶體中的氧空位，進一步提高晶體的發光強度；晶塊精密切割、研磨、拋光工藝技術方面能夠滿足影像核醫學（PET和PET/CT）和電磁量能器對加工表面和加工尺寸的嚴格要求。

技術指標


      晶體尺寸：Φ60×280、Φ70×200、Φ80×150；


      密度：7.1∽7.4g/cc；


      發光強度：≥30000光子/Mev；


      衰減時間：≤45ns；


      莫萊爾半徑(cm)：2.07；


      發光中心波長：420nm；


      輻照長度 (cm)：1.14；


      抗輻射強度：≥1000000rad；


      折射率：1.82；


      是否潮解：否；


      尺寸公差：±0.5mm；


      平行度：≤20μm；


      彎曲度：≤3 0μm；


      粗糙度：≤2n m；


      角度偏差：≤5°






技術特點


       生長的晶體尺寸大、發光強度高、衰減時間短，產品指標在國內處于領先地位，達到國際先進水平。可用于生長摻鈰硅酸镥（LSO）、摻鈰硅酸釔镥（LYSO）閃爍晶體的單晶生長爐多，并能自己生產單晶生長爐，可實現大批量生產。生產的產品已批量用于核物理、核醫學等領域。